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[SMI]新手使用慧荣2256K AB使用RDT功能的过程 (慧荣跑RDT教程)

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发表于 2022-7-14 13:54:35 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 湖南省岳阳市 移动
有个2256K--ab的主控,4贴估计黑片打标海力士H27QDG8M2M5R,总共128g,直接开卡成功是显示坏块10个,但开卡过程不到1分钟,肯定没对不稳定块做校验和屏蔽,用久了会丢数据或系统蓝屏或直接整个盘再次坏掉,硬盘最主要功能不是跑分,是存数据。


       于是网上找找,坛子里找找,貌似相关帖子很少,寥寥几个2246的。于是参考2246的RDT过程再摸索一下,貌似成了,先凑合用着。当然大婶们早就滚瓜烂熟,经验和精髓都没心情公布而已,为什么要公布呢?
首先是开卡前准备,先正常开一次卡,能成功了再准备RDT过程,这里已经开卡成功,可以出磁盘能分区使用。
开始:
       和开卡一样,短接rom或者芯片的数据脚位(论坛有方法),然后连接电脑,识别正确拔掉短接线,双击扫描到的记录会提示It's rom mode就成了。然后参数parameter只需在红线位置修改就行。
左下角是设定符合条件就判定RDT失败,都选为dont care,时间选1小时(这个时间一般128g选1小时,256g选2小时,怎么来的?记得urwtest软件么,在sata3接口下写入和读取一圈大概是1小时内),ecc校验位位数凭感觉选20到40之间,不行就搞大点,但数值越大越不稳定。必须勾选update RDT BB,这个bb应该是bad block坏块的意思,整句就是更新RDT坏块数据,第一次跑RDT时候没勾选,跑完后ssd的指示灯快速闪烁,重新连接电脑没任何变化,白跑了。
右边参考2246的RDT方式,没得选。
其他参数同正常开卡,根据你自己ssd的参数有所不同,参考是没问题,反正基本不会搞坏,大力出奇迹就不要了,一次不行就换个参数,不要强行。
那个 capactiy setting建议尽量选用IDEMA功能开启模拟SLC,工作原理参考SLC芯片,一个块能写入3个数据位的,一次只写入一个数据位,直到下一次再写一个数据位。开出来总容量差不多。

开卡后:标题结尾有RDT字样

然后脱开电脑,找个功率足点的usb充电器,5v2A或者用两个公头的易驱线插入2个usb口供电,等30秒后会间隔闪烁,等完成后,指示灯会常亮,再等个五分钟摸摸不那么滚烫就可以拔下来。
重新短接并插电脑,拔掉短接线,看到如图:温度最高到78度,3620秒,问题块25。、

第二次开卡:修改如下

开卡后:

可以使用了,我就懒得跑圈,做系统盘用着,只要没蓝屏就ok,存重要数据还是机械盘稳妥,试过intel 520固态说挂就挂,那么好的盘也挂,数据没了。
ps:转载
  1. http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2644532
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