isl6266

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引脚说明
PIN号码
符号
描述
1
ISEN2_NB
北桥VR通道2的单独电流检测。 当ISEN2_NB被拉到+ 5V时，
控制器将禁用通道2，北桥VR将运行单相。
2
NTC_NB
热敏电阻输入到VR_HOT_L电路以监测北桥VR温度。
3
IMON_NB
北桥输出电流监视器。 与北桥VR输出电流成比例的电流为
来自这个引脚。
4
SVC
从CPU处理器主设备输入串行VID时钟。
五
VR_HOT_L
热指示信号到AMD CPU。 热过载开漏输出指示器低电平。
6
SVD
串行VID数据从CPU处理器主设备到VR的双向信号。
7
VDDIO
VDDIO是处理器存储器接口电源轨，该引脚用作控制器的参考
IC为这个处理器的I / O信号电平。
8
SVT
串行VID遥测（SVT）数据线从控制器IC输入CPU。 遥测和VID-on-fly
从该引脚提供的完整信号。
9
ENABLE
启用输入 该引脚上的高电平逻辑使能VR。
10
PWROK
系统电源良好的输入。 当此管脚为高时，SVI 2接口处于活动状态和I 2 C协议是
运行。 当该引脚为低电平时，SVC和SVD输入状态决定了PWROK前的金属VID。 这个
针对AMD SVI 2.0控制器指南，ISL6277 PGOOD输出高电平之前，引脚必须为低电平。
11
我上线了
核心输出电流监视器。 与该VR引脚成比例的电流来自该引脚。
12
NTC
热敏电阻输入到VR_HOT_L电路来监控核心VR温度。
13
ISEN3
ISEN3是通道3的单独电流检测。当ISEN3被拉至+ 5V时，控制器将被禁止
通道3，Core VR以两相模式运行。
14
ISEN2
Core VR的通道2的单独电流检测。 当ISEN2被拉至+ 5V时，控制器
禁用通道2，Core VR以单相模式运行。

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第8页

ISL6277
8
FN8270.1
2012年3月8日
提交文件反馈
15
ISEN1
Core VR的通道1的单独电流检测。 如果ISEN2连接到+ 5V，则该引脚不能剩余
必须使用10kΩ电阻连接到GND。 如果ISEN1连接到+ 5V，IC的核心部分是
关掉。
16
ISUMP
核心输出的电流监视器和负载线的跨导放大器的同相输入。
17
ISUMN
用于电流监控的跨导放大器的反相输入和核心输出的负载线。
18
VSEN
核心控制器的输出电压检测引脚。 连接到微处理器的+感应引脚。
19
RTN
Core VR和Northbridge VR的输出电压检测回路管脚。 连接到 - 的引脚
微处理器死。
20
FB2
FB2引脚和FB引脚之间有一个开关。 开关处于2相或3相模式
在单相模式下关闭。 连接到FB2的组件用于调整补偿
Core VR的单相模式实现最佳性能。
21
FB
输出电压反馈到核心控制器误差放大器的反相输入。
22
COMP
核心控制器误差放大器输出 COMP到GND的电阻设置Core VR失调电压。
23
PGOOD
漏极开路输出指示IC的核心部分准备提供稳压电压。 拉起
通过电阻外部到VDD或3.3V。
24
BOOT1
在BOOT1和PHASE1引脚之间连接一个MLCC电容。 启动电容充电，
通过从VDDP引脚连接到BOOT1引脚的内部引导二极管，每次PHASE1
引脚降低到VDDP以下，减去内部引导二极管上的电压。
25
UGATE1
Core VR的Phase 1高边MOSFET栅极驱动器的输出。 将UGATE1引脚连接到门
的1相高边MOSFET。
26
阶段1
VR1的1相高边MOSFET栅极驱动器的电流回路。 将PHASE1引脚连接到
节点由高边MOSFET源极，低端MOSFET漏极和输出电感组成
阶段1。
27
LGATE1
Core VR的Phase 1低边MOSFET栅极驱动器的输出。 将LGATE1引脚连接到门
的1相低端MOSFET。
28
PWM_Y
浮动PWM输出用于Core VR的通道3或Northbridge VR的通道1
取决于连接在FCCM_NB和GND之间的FCCM_NB电阻。
29
VDD
5V偏置电源。 + 5V电源应使用电阻[2Ω]和去耦电容。 高
推荐使用质量好的X7R介质MLCC电容。
三十
VDDP
内部栅极驱动器的输入电压偏置。 将+ 5V连接到VDDP引脚。 至少1μF去耦
的电容到GND。 推荐使用高质量的X7R介质MLCC电容。
31
LGATE2
Core VR的Phase 2低端MOSFET栅极驱动器的输出。 将LGATE2引脚连接到门
的2相低边MOSFET。
32
阶段2
Core VR的Phase 2高边MOSFET栅极驱动器的电流返回路径。 连接PHASE2
引脚连接到由高端MOSFET源极，低端MOSFET漏极和输出组成的节点
2相电感。
33
UGATE2
Core VR的Phase 2高边MOSFET栅极驱动器的输出。 将UGATE2引脚连接到门
的2相高边MOSFET。
34
BOOT2
在BOOT2和PHASE2引脚之间连接MLCC电容。 引导电容器通过充电
一个内部引导二极管，从VDDP引脚连接到BOOT2引脚，每次PHASE2引脚下降
低于VDDP减去内部引导二极管上的电压。
35
VIN
电池电源电压，用于前馈。
36
BootX的
用于Core VR的通道3的可编程内部驱动器的引导连接
基于由FCCM_NB电阻选择的配置状态，北桥VR的通道1。
在BOOT1X和PHASEX引脚之间连接MLCC电容。 启动电容充电，
通过从VDDP引脚连接到BOOTX引脚的内部引导二极管，每次PHASEX
引脚降低到VDDP以下，减去内部引导二极管上的电压。
引脚说明 （续）
PIN号码
符号
描述

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第9页

ISL6277
9
FN8270.1
2012年3月8日
提交文件反馈
37
UGATEX
用于通道3的可编程内部驱动器的高边MOSFET栅极驱动器部分
核心VR或北桥VR的通道1根据配置状态选择
FCCM_NB电阻。 将UGATEX引脚连接到高端MOSFET的栅极，用于第3阶段
基于选择的配置状态的北桥VR的Core VR或Phase 1。
38
PHASEX
用于Core VR的通道3的可编程内部驱动器的相位连接
基于由FCCM_NB电阻选择的配置状态，北桥VR的通道1。
浮动内部驱动器的高边MOSFET栅极驱动器的电流返回路径。 连接
PHASEX引脚到由高端MOSFET源极组成的节点，低端MOSFET漏极和
基于VRR的Core VR的Phase 3或Northbridge VR的Phase 1的输出电感
配置状态选择。
39
LGATEX
用于Core VR的通道3的浮动内部驱动器的低端MOSFET栅极驱动器部分
或基于FCCM_NB电阻选择的配置状态的北桥VR的通道1。
将LGATEX引脚连接到Core VR或Phase的Phase 3的低端MOSFET的栅极
1个北桥VR基于选择的配置状态。
40
PWM2_NB
北桥VR通道2的PWM输出。 当ISEN2_NB连接到+ 5V时禁用。
41
FCCM_NB
用于Intersil MOSFET驱动器的二极管仿真控制信号。 当FCCM_NB为低电平时，二极管仿真为
该引脚连接的驱动器是允许的。 从FCCM_NB引脚到GND的电阻配置PWM_Y
和浮动内部门驱动器[BOOTX，UGATEX，PHASEX，LGATEX引脚]支持核心的第3阶段
VR和北桥VR的第1期。 FCCM_NB电阻值也用于设置转换速率
核心VR和北桥VR。
42
PGOOD_NB
开漏输出指示IC的北桥部分准备提供稳压电压。
通过电阻从外部上拉到VDDP或3.3V。
43
COMP_NB
北桥VR误差放大器输出。 从COMP_NB到GND的电阻设置北桥VR偏置
电压，用于设置Core VR和Northbridge VR的开关频率。
44
FB_NB
输出电压反馈到北桥控制器误差放大器的反相输入。
45
VSEN_NB
北桥控制器的输出电压检测引脚。 连接到微处理器的+感应引脚
死。
46
ISUMN_NB
用于北桥VR的电流监测和负载线的跨导放大器的反相输入。
47
ISUMP_NB
用于电流监视器和负载线的跨导放大器的同相输入
北桥VR。
48
ISEN1_NB
北桥VR通道1的单独电流检测。 如果ISEN2_NB连接到+ 5V，则此引脚不能
应保持打开状态，并用10kΩ电阻连接到GND。 如果ISEN1_NB连接到+ 5V，则北桥
部分IC关闭。
GND（底垫）
信号共同的IC。 除非另有说明，信号以GND引脚为参考

深圳天涯浪子

值得学习，很不容易。

韩小宇

顶一个了

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